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白石 健介; 伊藤 洋
High Temperature Superconductors, p.325 - 332, 1991/00
焼結した単相のBaYCuOペレットから切り出した試料をアルゴンイオンを照射し薄膜化した後、加速電圧200kVの電子顕微鏡を用いた電子線照射中に生じる組織の変化を連続的に直接観察した。イオンミーリングしたBaYCuO結晶では、間隔が1.17nmである(001)面の格子像に平行して、20~100nmの長さで、2~10nmの厚さの双晶薄片が観察される。また、この双晶薄片の周辺には、約10nmの大きさの欠陥集合体が優先的に生成している。通常の電子顕微鏡で組織を観察中に、欠陥集合体は徐々に大きくなり、双晶薄片は次第に消失する。これらの電子顕微鏡組織の変化は、BaYCuOペレットを電子線照射すると、電気抵抗が増加し、高電流密度で測定した超電導転移温度が上昇することとよく対応している。
古野 茂実; 出井 数彦; 大津 仁
J.Electron Microsc., 28(3), p.182 - 184, 1979/00
超高分解能電子顕微鏡を使って、MoSの観察を行い、C面に投影された原子配列の像を得た。この像で最短原子間距離1.8が分解されている。これは以前発表したシリコン(110)像の場合と同様に、レンズ収差の無い条件になる様な適当なdefocus量,?fを選んで観察したものと考えられる。以上の観察の結果と観察に必要な条件について報告する。